• LEM电流传感器ITN600-S ITN900-S ITN1000-S ITN12-P ITN1000-S ITN12-P

    详细信息

     品牌：LEM  加工定制：否  型号： ITN1000-S ITN12-P  
     制作工艺：薄膜  输出信号：模拟型  材料：陶瓷  
     材料物理性质：半导体  材料晶体结构：多晶  线性度：0.00115 %F.S 
    LEM电流传感器ITN600-S ITN900-S ITN1000-S ITN12-P

    主要特点:

    标称电流测量:从600年到900年ADC

    良好的线性从1到1.5 ppm

    高分辨率

    初始偏移量从10到15 ppm

    低的抵消漂移从0.3到0.5 ppm / K

    总体偏差
    @ IPN @ + 25°C:< + / - 0.002%

    宽的频率带宽高达300千赫(+ / - 3 dB)

    2年保修

    直流、交流脉冲电流的测量电隔离

    磁通门技术

    初级和次级电路之间的静电屏蔽

    电源+ / -15伏特

    操作温度范围从+ 10 + 50°C

    sub 9男中共接口输出

    电流输出

    真的快速响应时间(< 250 ns)

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