LEM电流传感器ITN600-S ITN900-S ITN1000-S ITN12-P ITN1000-S ITN12-P

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详细信息

品牌：LEM	加工定制：否	型号： ITN1000-S ITN12-P
制作工艺：薄膜	输出信号：模拟型	材料：陶瓷
材料物理性质：半导体	材料晶体结构：多晶	线性度：0.00115 %F.S

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主要特点:

标称电流测量:从600年到900年ADC

良好的线性从1到1.5 ppm

高分辨率

初始偏移量从10到15 ppm

低的抵消漂移从0.3到0.5 ppm / K

总体偏差
 @ IPN @ + 25°C:< + / - 0.002%

宽的频率带宽高达300千赫(+ / - 3 dB)

2年保修

直流、交流脉冲电流的测量电隔离

磁通门技术

初级和次级电路之间的静电屏蔽

电源+ / -15伏特

操作温度范围从+ 10 + 50°C

sub 9男中共接口输出

电流输出

真的快速响应时间(< 250 ns)

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